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案例分析：基于温度循环试验判断半导体分离器件不良现象2020-07-04例1:待测器件经过1，000小时温度循环试验后测试结果显示电性为开路状态。通过不良品分析实验，剥离器件外部塑封胶后发现晶片与框架焊接过程中所使用银浆在与晶片背面的焊接区域出现断裂状态(图1)。通常半导体器件焊接所使用的银浆的成分为锡/银/铜，晶片的基材为硅。MORE
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做高低温冲击试验需注意的三个细节问题2020-07-04高低温冲击试验箱内空间容积与受试件体积的比值应不小于5：1，使高低温冲击试验箱有足够的热容量。此外，箱内受试件的摆放位置不能阻碍空气的对流，以免使得试验箱的效能降低。MORE
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